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Der BSS138 ist ein universell einsetzbarer N-Kanal Kleinsignal-MOSFET im SMD-Gehäuse


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BSS138

Attention attention

Der BSS138 ist sehr empfindlich gegen elektrostatische Entladungen.

Bitte Vorsicht-elektrostatische-Entladung beachten.

Der BSS238 ist ein N-Kanal Kleinsignal-MOSFET.

Udsmax Ugsmax Idmax Pmax Rdson Ugson Ugsth
50V ±20V 200mA 300mW 1,7Ω < 7,5Ω 1,3V 0,8V bis 1,5V
Udsmax maximal zulässige Drain-Source-Spannung
Ugsmax maximal zulässige Gate-Source-Spannung
Idmax maximal zulässiger Drain-Strom
Pmax maximal zulässige Leistung
Rdson Einschaltwiderstand bei Ugson
Ugson Gate-Source-Spannung für Rdson
Ugsth Gate-Source-Spannung, bei der der MOSFET leitend wird
  • Der BSS138 kann als Verstärker und Schalter eingesetzt werden.
  • Der BSS138 kann von CMOS Logik-Systemen ab 3,3V angesteuert werden. Es sind nur Drainströme von maximal 100mA sinnvoll.

Symbol

N-MOS-FET-Diode_Symbol.png
Symbol eines N-MOSFET

Wirkung

Durch eine positive Spannung zwischen Gate und Source wird der N-Kanal-MOSFET zwischen Drain und Source leitend. Der MOSFET ist spannungsgesteuert.

Gehäuse

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THT und SMD

Montage von Bauelemente auf Leiterplatten

THT (Through Hole Technology) Durchsteckmontage

  • Die Anschlüsse von THT-Bauelementen werden durch Löcher in der Platine gesteckt und von unten verlötet.
  • THT-Bauelemente werden auf der Oberseite der Platine montiert.
  • Bedrahtete Bauelemente wie Widerstände und Kondensatoren werden in THT montiert. Dazu müssen die Anschlussdrähte entsprechend gebogen werden.

SMD (Surface Mounted Device) Oberflächenmontage

  • SMD-Bauelemente benötigen keine Bohrungen, sondern werden direkt auf Kupferpads gelötet.
  • SMD-Bauelemente können auf beiden Seiten einer Platine montiert werden.
SOT23-3.png
BC807 und BC808 im SMD-Gehäuse Typ SOT-23-3

1 - Gate
2 - Source
3 - Drain

Regeln

  • Der BSS138 ist sehr empfindlich gegen elektrostatische Entladungen.
  • Die Source wird mit Minus verbunden.
  • Der Lastwiderstand liegt zwischen Drain und Plus.
  • Das Gate ist isoliert. Es fließt kein Strom in das Gate.
  • Das Gate darf nie offen sein. Ein Widerstand von 1MΩ genügt.
  • Durch eine positive Spannung zwischen Gate und Source von etwa 1,1V (0,8V bis 1,5V) wird der BSS138 leitend.
  • Bei einer positiven Spannung zwischen Gate und Source von 2V schaltet der BSS138 200mA.
  • Der BSS138 sollte für kleine Ströme bis 100mA verwendet werden.
  • Der BSS138 kann mit dem Gate direkt an einen CMOS-Ausgang ab 3,3V angeschlossen werden und schaltet dann bis zu 200mA.
  • Der BSS138 kann bei Spannungen bis 12V mit einem Lastwiderstand von minimal 120Ω sicher betrieben werden.
  • Zwischen Drain und Source befindet sich eine Diode, die bei negativer Spannung leitend wird.
  • Der BSS138 verträgt keine hohen Leistungen,
  • maximal 250mW.
  • 350mW nur bei 25°C Umgebungstemperatur

Einbau auf Lochrasterplatinen

Das vierpolige SMD-Bauteil des BCV62 kann auf Lochrasterplatine montiert werden: SOT-Gehäuse

Weitere Daten und Kennlinien

  • Kennlinien werden im Praktikum Kennlinien beschreiben.
BSS138-Ausgangskennlinien.png
Ausgangskennlinien des BSS138

Diese Ausgangskennlinien sind typische Kennlinien. Die tatsächlichen Werte können deutlich abweichen. Zum Beispiel liegt die Gate-Source-Spannung Ugsth, bei der der MOSFET leitend wird, im Bereich von 0,8V bis 1,5V.

BSS138-Gatespannung-Drainstrom.png
Drainstrom als Funktion der Gate-Source-Spannung

Der Drainstrom ist temperaturabhängig und damit auch die Ausgangskennlinien.