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Der N-Kanal-MOSFET IRF7470 ist ein Schalter für Ströme bis zu 8,5A


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IRF7470

Attention attention

Der IRF7470 ist empfindlich gegen elektrostatische Entladung.

Bitte Vorsicht-elektrostatische-Entladung beachten.

Der IRF7470 ist ein N-Kanal-MOSFET.

Udsmax Ugsmax Idmax Pmax Rdson Ugson Ugsth
40V ±12V 8A 1,6W 0,030Ω 2,5V 0,8V bis 2,0V
Udsmax maximal zulässige Drain-Source-Spannung
Ugsmax maximal zulässige Gate-Source-Spannung
Idmax maximal zulässiger Drain-Strom
Pmax maximal zulässige Leistung
Rdson Einschaltwiderstand bei Ugson
Ugson Gate-Source-Spannung für Rdson
Ugsth Gate-Source-Spannung, bei der der MOSFET leitend wird
  • Der IRF7470 kann als Schalter und Verpolungsschutz eingesetzt werden.
  • Der IRF7470 kann von Logik-Systemen ≥ 3V angesteuert werden.
  • Die Gate-Source Spannung darf maximal ±12V betragen.

Symbol

N-MOS-FET-Diode_Symbol.png
Bild 1: Symbol eines N-MOSFET

S - Source, D - Drain, G - Gate

Wirkung

Eine positive Spannung Ugs von 3V zwischen Gate und Source schaltet den MOSFET ein. Der Widerstand zwischen Drain und Source ist dann praktisch 0 (etwa 30mΩ). Der Strom sollte 5 A bei Ugs=3 V nicht überschreiten.

Gehäuse

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THT und SMD

Montage von Bauelemente auf Leiterplatten

THT (Through Hole Technology) Durchsteckmontage

  • Die Anschlüsse von THT-Bauelementen werden durch Löcher in der Platine gesteckt und von unten verlötet.
  • THT-Bauelemente werden auf der Oberseite der Platine montiert.
  • Bedrahtete Bauelemente wie Widerstände und Kondensatoren werden in THT montiert. Dazu müssen die Anschlussdrähte entsprechend gebogen werden.

SMD (Surface Mounted Device) Oberflächenmontage

  • SMD-Bauelemente benötigen keine Bohrungen, sondern werden direkt auf Kupferpads gelötet.
  • SMD-Bauelemente können auf beiden Seiten einer Platine montiert werden.
SO-8.png
Bild 2: IRF7470 im SMD-Gehäuse Typ SO-8

1 - Source
2 - Source
3 - Source
4 - Gate
5 - Drain
6 - Drain
7 - Drain
8 - Drain

Regeln

  • Der IRF7470 ist empfindlich gegen elektrostatische Entladung.
  • Die Source des IRF7470 wird an Plus angeschlossen.
  • Die geschaltete Last liegt zwischen Drain und Plus.
  • Der IRF7470 wird durch eine positive Spannung zwischen Source und Gate eingeschaltet.
  • Das Gate darf niemals offen sein. Ein Widerstand von 1MΩ genügt.
  • Das Gate kann unmittelbar an den Ausgang eines CMOS-ICs angeschlossen werden.
  • Der IRF7470 schaltet Ströme bis zu 5A, wenn er mit Ugs=3V angesteuert wird.
  • Der IRF7470 darf mit einer maximalen Gate-Source-Spannung von ±12V betrieben werden.
  • Er kann gut mit Spannungen zwischen 5V und 24V betrieben werden.
  • Der IRF7470 verträgt keine hohen Leistungen,
  • maximal 1,6W.

Einbau auf Lochrasterplatinen

Das acht-polige SMD-Bauteil des IRF7470 kann auf Lochrasterplatinen montiert werden: SO-Gehäuse