IRF7470
Der IRF7470 ist empfindlich gegen elektrostatische Entladung.
Bitte Vorsicht-elektrostatische-Entladung beachten.
Der IRF7470 ist ein N-Kanal-MOSFET.
| Udsmax | Ugsmax | Idmax | Pmax | Rdson | Ugson | Ugsth |
| 40V | ±12V | 8A | 2500mW | 0,030Ω | 2,5V | 0,8V bis 2,0V |
| Udsmax | maximal zulässige Drain-Source-Spannung |
| Ugsmax | maximal zulässige Gate-Source-Spannung |
| Idmax | maximal zulässiger Drain-Strom |
| Pmax | maximal zulässige Leistung |
| Rdson | Einschaltwiderstand bei Ugson |
| Ugson | Gate-Source-Spannung für Rdson |
| Ugsth | Gate-Source-Spannung, bei der der MOSFET leitend wird |
- Der IRF7470 kann als Schalter und Verpolungsschutz eingesetzt werden.
- Der IRF7470 kann von Logik-Systemen ≥ 3V angesteuert werden.
- Die Gate-Source Spannung darf maximal ±12V betragen.
Symbol
S - Source, D - Drain, G - Gate
Wirkung
Eine positive Spannung Ugs von 3V zwischen Gate und Source schaltet den MOSFET ein. Der Widerstand zwischen Drain und Source ist dann praktisch 0 (etwa 30mΩ). Der Strom sollte 5 A bei Ugs=3 V nicht überschreiten.
Gehäuse
THT und SMD
Montage von Bauelemente auf Leiterplatten
THT (Through Hole Technology) Durchsteckmontage
- Die Anschlüsse von THT-Bauelementen werden durch Löcher in der Platine gesteckt und von unten verlötet.
- THT-Bauelemente werden auf der Oberseite der Platine montiert.
- Bedrahtete Bauelemente wie Widerstände und Kondensatoren werden in THT montiert. Dazu müssen die Anschlussdrähte entsprechend gebogen werden.
SMD (Surface Mounted Device) Oberflächenmontage
- SMD-Bauelemente benötigen keine Bohrungen, sondern werden direkt auf Kupferpads gelötet.
- SMD-Bauelemente können auf beiden Seiten einer Platine montiert werden.
1 - Source
2 - Source
3 - Source
4 - Gate
5 - Drain
6 - Drain
7 - Drain
8 - Drain
Thermische Eigenschaften
60°C
Die Umgebungstemperatur von 60°C ist eine gute Wahl für die meisten Anwendungen.
- Die maximal zulässige Sperrschichttemperatur des IRF7470 beträgt 150°C.
- Die maximal zulässige Leistung bei einer Umgebungstemperatur von 25°C ist Pmax=1600mW.
- Über 25°C Umgebungstemperatur verringert sich die maximal zulässige Leistung um 20mW/°C.
Das obige Diagramm setzt voraus, dass der IRF7470 auf einer Leiterplatte eingelötet ist.
Die maximal zulässige Verlustleistung kann einfach aus dem Diagramm entnommen werden.
- Wird der IRF7470 mit Leistungen über 75mW betrieben, ist die Kühlung von SMD-Bauelementen über die Leiterplatte zu beachten.
Regeln
- Der IRF7470 ist empfindlich gegen elektrostatische Entladung.
- Bitte Vorsicht-elektrostatische-Entladung beachten.
- Die Source des IRF7470 wird an Plus angeschlossen.
- Die geschaltete Last liegt zwischen Drain und Plus.
- Der IRF7470 wird durch eine positive Spannung zwischen Source und Gate eingeschaltet.
- Das Gate darf niemals offen sein. Ein Widerstand von 1MΩ genügt.
- Das Gate kann unmittelbar an den Ausgang eines CMOS-ICs angeschlossen werden.
- Der IRF7470 schaltet Ströme bis zu 5A, wenn er mit Ugs=3V angesteuert wird.
- Der IRF7470 darf mit einer maximalen Gate-Source-Spannung von ±12V betrieben werden.
- Er kann gut mit Spannungen zwischen 5V und 24V betrieben werden.
- Der IRF7470 verträgt keine hohen Leistungen,
- maximal 1,8W bei 60°C Umgebungstemperatur.
Montage auf Lochrasterplatinen
Das acht-polige SMD-Bauteil des IRF7470 kann auf Lochrasterplatinen montiert werden: SO-Gehäuse