Symbol
S - Source, D - Drain, G - Gate
Wirkung
Durch eine negative Spannung Ugs von 4,5V zwischen Gate und Source wird der MOSFET eingeschaltet. Dann ist der Widerstand zwischen Drain und Source praktisch 0 (etwa 30mΩ). Der Strom sollte bei Ugs = 4,5V nicht größer als 8,5A sein.
Gehäuse
1 - Source
2 - Source
3 - Source
4 - Gate
5 - Drain
6 - Drain
7 - Drain
8 - Drain
Der IRF7470 ist empfindlich gegen elektrostatische Entladung.
Bitte Vorsicht-elektrostatische-Entladung beachten.
Regeln
- Der IRF7470 verträgt keine hohen Leistungen,
- maximal 1,6W.
- Der IRF7470 schaltet Ströme bis -8,5A gut, wenn er mit Ugs=4,5V angesteuert wird.
- Der IRF7470 darf mit einer maximalen Gate-Source-Spannung von ±12V betrieben werden.
- Er kann gut bei Spannungen zwischen 5V und 24V betrieben werden.
- Die Source wird an Plus angeschlossen.
- Die geschaltete Last liegt zwischen Drain und Minus bzw. Masse.
- Das Gate sollte niemals offen sein. Ein 1MΩ Widerstand reicht.
- Das Gate kann unmittelbar an den Ausgang eines CMOS-ICs (5V) angeschlossen werden.
Einbau auf Lochrasterplatinen
Das acht-polige SMD-Bauteil des IRF7470 lässt sich auf Lochrasterplatine einbauen: SO-Gehäuse