IRF7470
Der IRF7470 ist empfindlich gegen elektrostatische Entladung.
Bitte Vorsicht-elektrostatische-Entladung beachten.
Der IRF7470 ist ein N-Kanal-MOSFET
| Udsmax | Ugsmax | Imax | Pmax | Rdson | Ugson |
| 40V | ±12V | 8A | 1,6W | 0,030Ω | 2,5V |
- Der IRF7470 kann als Schalter und Verpolungsschutz eingesetzt werden.
- Der IRF7470 kann von Logik-Systemen ≥ 3V angesteuert werden.
- Die Gate-Source Spannung darf maximal ±12V betragen.
Symbol
S - Source, D - Drain, G - Gate
Wirkung
Durch eine positive Spannung Ugs von 3V zwischen Gate und Source wird der MOSFET eingeschaltet. Dann ist der Widerstand zwischen Drain und Source praktisch 0 (etwa 30mΩ). Der Strom sollte bei Ugs = 3V nicht größer als 5A sein.
Gehäuse
1 - Source
2 - Source
3 - Source
4 - Gate
5 - Drain
6 - Drain
7 - Drain
8 - Drain
Regeln
- Die Source des IRF7470 wird an Plus angeschlossen.
- Die geschaltete Last liegt zwischen Drain und Minus bzw. Masse.
- Das Gate sollte niemals offen sein. Ein 1MΩ Widerstand reicht.
- Das Gate kann unmittelbar an den Ausgang eines CMOS-ICs angeschlossen werden.
- Der IRF7470 schaltet Ströme bis 5A gut, wenn er mit Ugs=3V angesteuert wird.
- Der IRF7470 darf mit einer maximalen Gate-Source-Spannung von ±12V betrieben werden.
- Er kann gut bei Spannungen zwischen 5V und 24V betrieben werden.
- Der IRF7470 verträgt keine hohen Leistungen,
- maximal 1,6W.
Einbau auf Lochrasterplatinen
Das acht-polige SMD-Bauteil des IRF7470 lässt sich auf Lochrasterplatine einbauen: SO-Gehäuse