IRF7470

Der IRF7470 ist ein N-Kanal-MOSFET

U_dsmax	U_gsmax	I_max	P_max	R_dson	U_gson
40V	±12V	-8,5A	1,6W	0,030Ω	-2,5V

Verwendung als Schalter und Verpolungsschutz. Der IRF7470 kann von Logik-Systemen ≥ 5V angesteuert werden.

Die Gate-Source Spannung darf maximal ±12V betragen.

Symbol

S - Source, D - Drain, G - Gate

Wirkung

Durch eine negative Spannung U_gs von 4,5V zwischen Gate und Source wird der MOSFET eingeschaltet. Dann ist der Widerstand zwischen Drain und Source praktisch 0 (etwa 30mΩ). Der Strom sollte bei U_gs = 4,5V nicht größer als 8,5A sein.

Gehäuse

1 - Source
2 - Source
3 - Source
4 - Gate
5 - Drain
6 - Drain
7 - Drain
8 - Drain

Der IRF7470 ist empfindlich gegen elektrostatische Entladung.

Bitte Vorsicht-elektrostatische-Entladung beachten.

Regeln

Der IRF7470 verträgt keine hohen Leistungen,

maximal 1,6W.

Der IRF7470 schaltet Ströme bis -8,5A gut, wenn er mit U_gs=4,5V angesteuert wird.

Der IRF7470 darf mit einer maximalen Gate-Source-Spannung von ±12V betrieben werden.

Er kann gut bei Spannungen zwischen 5V und 24V betrieben werden.

Die Source wird an Plus angeschlossen.

Die geschaltete Last liegt zwischen Drain und Minus bzw. Masse.

Das Gate sollte niemals offen sein. Ein 1MΩ Widerstand reicht.

Das Gate kann unmittelbar an den Ausgang eines CMOS-ICs (5V) angeschlossen werden.

Einbau auf Lochrasterplatinen

Das acht-polige SMD-Bauteil des IRF7470 lässt sich auf Lochrasterplatine einbauen: SO-Gehäuse