IRF7470

Der IRF7470 ist empfindlich gegen elektrostatische Entladung.

Bitte Vorsicht-elektrostatische-Entladung beachten.

Der IRF7470 ist ein N-Kanal-MOSFET.

Udsmax	Ugsmax	Idmax	Pmax	Rdson	Ugson	Ugsth
40V	±12V	8A	2500mW	0,030Ω	2,5V	0,8V bis 2,0V

Udsmax	maximal zulässige Drain-Source-Spannung
Ugsmax	maximal zulässige Gate-Source-Spannung
Idmax	maximal zulässiger Drain-Strom
Pmax	maximal zulässige Leistung
Rdson	Einschaltwiderstand bei Ugson
Ugson	Gate-Source-Spannung für Rdson
Ugsth	Gate-Source-Spannung, bei der der MOSFET leitend wird

• Der IRF7470 kann als Schalter und Verpolungsschutz eingesetzt werden.

• Der IRF7470 kann von Logik-Systemen ≥ 3V angesteuert werden.

• Die Gate-Source Spannung darf maximal ±12V betragen.

Symbol

S - Source, D - Drain, G - Gate

Wirkung

Eine positive Spannung U_gs von 3V zwischen Gate und Source schaltet den MOSFET ein. Der Widerstand zwischen Drain und Source ist dann praktisch 0 (etwa 30mΩ). Der Strom sollte 5 A bei U_gs=3 V nicht überschreiten.

Gehäuse

THT und SMD

Montage von Bauelemente auf Leiterplatten

THT (Through Hole Technology) Durchsteckmontage

• Die Anschlüsse von THT-Bauelementen werden durch Löcher in der Platine gesteckt und von unten verlötet.

• THT-Bauelemente werden auf der Oberseite der Platine montiert.

• Bedrahtete Bauelemente wie Widerstände und Kondensatoren werden in THT montiert. Dazu müssen die Anschlussdrähte entsprechend gebogen werden.

SMD (Surface Mounted Device) Oberflächenmontage

• SMD-Bauelemente benötigen keine Bohrungen, sondern werden direkt auf Kupferpads gelötet.

• SMD-Bauelemente können auf beiden Seiten einer Platine montiert werden.

1 - Source
2 - Source
3 - Source
4 - Gate
5 - Drain
6 - Drain
7 - Drain
8 - Drain

Thermische Eigenschaften

60°C

Die Umgebungstemperatur von 60°C ist eine gute Wahl für die meisten Anwendungen.

• Die maximal zulässige Sperrschichttemperatur des IRF7470 beträgt 150°C.

• Die maximal zulässige Leistung bei einer Umgebungstemperatur von 25°C ist P_max=1600mW.

• Über 25°C Umgebungstemperatur verringert sich die maximal zulässige Leistung um 20mW/°C.

Das obige Diagramm setzt voraus, dass der IRF7470 auf einer Leiterplatte eingelötet ist.

Die maximal zulässige Verlustleistung kann einfach aus dem Diagramm entnommen werden.

• Wird der IRF7470 mit Leistungen über 75mW betrieben, ist die Kühlung von SMD-Bauelementen über die Leiterplatte zu beachten.

Regeln

• Der IRF7470 ist empfindlich gegen elektrostatische Entladung.

• Bitte Vorsicht-elektrostatische-Entladung beachten.

• Die Source des IRF7470 wird an Plus angeschlossen.

• Die geschaltete Last liegt zwischen Drain und Plus.

• Der IRF7470 wird durch eine positive Spannung zwischen Source und Gate eingeschaltet.

• Das Gate darf niemals offen sein. Ein Widerstand von 1MΩ genügt.

• Das Gate kann unmittelbar an den Ausgang eines CMOS-ICs angeschlossen werden.

• Der IRF7470 schaltet Ströme bis zu 5A, wenn er mit U_gs=3V angesteuert wird.

• Der IRF7470 darf mit einer maximalen Gate-Source-Spannung von ±12V betrieben werden.

• Er kann gut mit Spannungen zwischen 5V und 24V betrieben werden.

• Der IRF7470 verträgt keine hohen Leistungen,

• maximal 1,8W bei 60°C Umgebungstemperatur.

Montage auf Lochrasterplatinen

Das acht-polige SMD-Bauteil des IRF7470 kann auf Lochrasterplatinen montiert werden: SO-Gehäuse

Weitere Daten und Kennlinien

• Kennlinien werden im Praktikum Kennlinien beschreiben.

Sicherer Arbeitsbereich (SOA)

• Siehe Sicherer Arbeitsbereich (SOA)

Der IRF7470 kann analog mit Gleichstrom betrieben werden: DC SOA.

• Der DC SOA wird nicht von allen Herstellern angegeben.

• Die Grenzlinien dürfen nur einmalig oder sehr selten überschritten werden. Der IRF7470 darf dauerhaft nur unterhalb des DC-Bereichs betrieben werden.

• Die Daten gelten bei einer Chiptemperatur von 25°C. Bei höheren Temperaturen muss der Drainstrom I_d reduziert werden. Siehe Sicherer Arbeitsbereich (SOA) - Details.

• Der SOA für DC kann entsprechend den %-Angaben rechts im Diagramm für die maximal zulässige Verlustleistung reduziert werden.