AO3415A

Der AO3415A ist empfindlich gegen elektrostatische Entladung, hat aber einen Schutz für das Gate.

Bitte Vorsicht-elektrostatische-Entladung beachten.

Der V ist ein P-Kanal-MOSFET.

Udsmax	Ugsmax	Idmax	Pmax	Rdson	Ugson	Ugsth
-20V	±8V	-5A	1500mW	0,04Ω	-2,5V	-0,3V bis -0,9V

Udsmax	maximal zulässige Drain-Source-Spannung
Ugsmax	maximal zulässige Gate-Source-Spannung
Idmax	maximal zulässiger Drain-Strom
Pmax	maximal zulässige Leistung
Rdson	Einschaltwiderstand bei Ugson
Ugson	Gate-Source-Spannung für Rdson
Ugsth	Gate-Source-Spannung, bei der der MOSFET leitend wird (< wegen -)

• Der V kann als Schalter und Verpolungsschutz verwendet werden.

• Der V kann von Logik-Systemen ≥ 3V angesteuert werden.

• Die Gate-Source Spannung darf maximal ±8V betragen.

Symbol

Wirkung

Eine negative Spannung von -2,5V zwischen Gate und Source schaltet den MOSFET ein. Der Widerstand zwischen Drain und Source ist dann praktisch 0 (etwa 42mΩ).

Der AO3415A beginnt bei -0,57V (-0,3V bis -0,9V) zu leiten.

Der Eingang des AO3415A ist gegen elektrostatische Entladung durch Z-Dioden geschützt.

Gehäuse

THT und SMD

Montage von Bauelemente auf Leiterplatten

THT (Through Hole Technology) Durchsteckmontage

• Die Anschlüsse von THT-Bauelementen werden durch Löcher in der Platine gesteckt und von unten verlötet.

• THT-Bauelemente werden auf der Oberseite der Platine montiert.

• Bedrahtete Bauelemente wie Widerstände und Kondensatoren werden in THT montiert. Dazu müssen die Anschlussdrähte entsprechend gebogen werden.

SMD (Surface Mounted Device) Oberflächenmontage

• SMD-Bauelemente benötigen keine Bohrungen, sondern werden direkt auf Kupferpads gelötet.

• SMD-Bauelemente können auf beiden Seiten einer Platine montiert werden.

1 - Gate
2 - Source
3 - Drain

Thermische Eigenschaften

60°C

Die Umgebungstemperatur von 60°C ist eine gute Wahl für die meisten Anwendungen.

• Die maximal zulässige Sperrschichttemperatur des AO3415A beträgt 150°C.

• Die maximal zulässige Leistung bei einer Umgebungstemperatur von 25°C ist P_max=1500mW.

• Über 25°C Umgebungstemperatur verringert sich die maximal zulässige Leistung um 12mW/°C.

Das obige Diagramm setzt voraus, dass der AO3415A auf einer Leiterplatte eingelötet ist.

Die maximal zulässige Verlustleistung kann einfach aus dem Diagramm entnommen werden.

• Wird der AO3415A mit Leistungen über 75mW betrieben, ist die Kühlung von SMD-Bauelementen über die Leiterplatte zu beachten.

Regeln

• Der AO3415A ist empfindlich gegen elektrostatische Entladung, hat aber einen Schutz für das Gate.

• Bitte dennoch Vorsicht-elektrostatische-Entladung beachten.

• Die Source des AO3415A wird an Plus angeschlossen.

• Die geschaltete Last liegt zwischen Drain und Minus bzw. Masse.

• Der AO3415A wird durch eine negative Spannung zwischen Source und Gate eingeschaltet.

• Das Gate sollte niemals offen sein. Ein 1MΩ Widerstand genügt.

• Der AO3415A schaltet Ströme bis -5A gut.

• Das Gate kann unmittelbar an den Ausgang eines CMOS-ICs angeschlossen werden.

• Der AO3415A darf mit einer maximalen Gate-Source-Spannung von ±12V betrieben werden.

• Er kann mit Spannungen zwischen 3V und 12V betrieben werden.

• Der AO3415A darf linear (analog) betrieben werden,

• Sicherer Arbeitsbereich (SOA) für Gleichstrom:

• 0,1A und 10V

• 0,2A und 5V

• Der AO3415A verträgt keine hohen Leistungen,

• maximal 1000mW bei 60°C.

Beispiel: Verpolungsschutz

Der AO3415A besitzt eine integrierte Diode. Der Strom fließt durch diese Diode, wenn der AO3415A nicht eingeschaltet ist. Wenn die Gate-Source-Spannung größer als -2,5V ist, schließt der MOSFET die Diode kurz. Diese Schaltung wird im Praktikum Komplementäre Transistoren näher beschrieben.

Verpolungsschutz

• Der AO3415A wird als Verpolungsschutz "falsch" herum betrieben.

• Der AO3415A wirkt nicht als Diode, da er auch von +Uout nach +Uin leitet, wenn +Uout größer als 2,5V ist.

Montage auf Lochrasterplatinen

Das dreipolige SMD-Bauteil des AO3415A kann auf Lochrasterplatinen montiert werden: SOT-Gehäuse

Weitere Daten und Kennlinien

• Kennlinien werden im Praktikum Kennlinien beschreiben.

Sicherer Arbeitsbereich (SOA)

• Siehe Sicherer Arbeitsbereich (SOA)

Der AO3415A kann analog mit Gleichstrom betrieben werden: DC SOA.

• Die Grenzlinien dürfen nur einmalig oder sehr selten überschritten werden. Der AO3415A darf dauerhaft nur unterhalb des DC-Bereichs betrieben werden.

• Die Daten gelten bei einer Chiptemperatur von 25°C. Bei höheren Temperaturen muss der Drainstrom I_d reduziert werden. Siehe Sicherer Arbeitsbereich (SOA) - Details.

• Der SOA für DC kann entsprechend den %-Angaben rechts im Diagramm für die maximal zulässige Verlustleistung reduziert werden.