AO3415A
Der AO3415A ist empfindlich gegen elektrostatische Entladung, hat aber einen Schutz für das Gate.
Bitte Vorsicht-elektrostatische-Entladung beachten.
Der V ist ein P-Kanal-MOSFET.
| Udsmax | Ugsmax | Idmax | Pmax | Rdson | Ugson | Ugsth |
| -20V | ±8V | -5A | 1500mW | 0,04Ω | -2,5V | -0,3V bis -0,9V |
| Udsmax | maximal zulässige Drain-Source-Spannung |
| Ugsmax | maximal zulässige Gate-Source-Spannung |
| Idmax | maximal zulässiger Drain-Strom |
| Pmax | maximal zulässige Leistung |
| Rdson | Einschaltwiderstand bei Ugson |
| Ugson | Gate-Source-Spannung für Rdson |
| Ugsth | Gate-Source-Spannung, bei der der MOSFET leitend wird (< wegen -) |
- Der V kann als Schalter und Verpolungsschutz verwendet werden.
- Der V kann von Logik-Systemen ≥ 3V angesteuert werden.
- Die Gate-Source Spannung darf maximal ±8V betragen.
Symbol
Wirkung
Eine negative Spannung von -2,5V zwischen Gate und Source schaltet den MOSFET ein. Der Widerstand zwischen Drain und Source ist dann praktisch 0 (etwa 42mΩ).
Der AO3415A beginnt bei -0,57V (-0,3V bis -0,9V) zu leiten.
Der Eingang des AO3415A ist gegen elektrostatische Entladung durch Z-Dioden geschützt.
Gehäuse
THT und SMD
Montage von Bauelemente auf Leiterplatten
THT (Through Hole Technology) Durchsteckmontage
- Die Anschlüsse von THT-Bauelementen werden durch Löcher in der Platine gesteckt und von unten verlötet.
- THT-Bauelemente werden auf der Oberseite der Platine montiert.
- Bedrahtete Bauelemente wie Widerstände und Kondensatoren werden in THT montiert. Dazu müssen die Anschlussdrähte entsprechend gebogen werden.
SMD (Surface Mounted Device) Oberflächenmontage
- SMD-Bauelemente benötigen keine Bohrungen, sondern werden direkt auf Kupferpads gelötet.
- SMD-Bauelemente können auf beiden Seiten einer Platine montiert werden.
1 - Gate
2 - Source
3 - Drain
Thermische Eigenschaften
60°C
Die Umgebungstemperatur von 60°C ist eine gute Wahl für die meisten Anwendungen.
- Die maximal zulässige Sperrschichttemperatur des AO3415A beträgt 150°C.
- Die maximal zulässige Leistung bei einer Umgebungstemperatur von 25°C ist Pmax=1500mW.
- Über 25°C Umgebungstemperatur verringert sich die maximal zulässige Leistung um 12mW/°C.
Das obige Diagramm setzt voraus, dass der AO3415A auf einer Leiterplatte eingelötet ist.
Die maximal zulässige Verlustleistung kann einfach aus dem Diagramm entnommen werden.
- Wird der AO3415A mit Leistungen über 75mW betrieben, ist die Kühlung von SMD-Bauelementen über die Leiterplatte zu beachten.
Regeln
- Der AO3415A ist empfindlich gegen elektrostatische Entladung, hat aber einen Schutz für das Gate.
- Bitte dennoch Vorsicht-elektrostatische-Entladung beachten.
- Die Source des AO3415A wird an Plus angeschlossen.
- Die geschaltete Last liegt zwischen Drain und Minus bzw. Masse.
- Der AO3415A wird durch eine negative Spannung zwischen Source und Gate eingeschaltet.
- Das Gate sollte niemals offen sein. Ein 1MΩ Widerstand genügt.
- Der AO3415A schaltet Ströme bis -5A gut.
- Das Gate kann unmittelbar an den Ausgang eines CMOS-ICs angeschlossen werden.
- Der AO3415A darf mit einer maximalen Gate-Source-Spannung von ±12V betrieben werden.
- Er kann mit Spannungen zwischen 3V und 12V betrieben werden.
- Der AO3415A darf linear (analog) betrieben werden,
- Sicherer Arbeitsbereich (SOA) für Gleichstrom:
- 0,1A und 10V
- 0,2A und 5V
- Der AO3415A verträgt keine hohen Leistungen,
- maximal 1000mW bei 60°C.
Beispiel: Verpolungsschutz
Der AO3415A besitzt eine integrierte Diode. Der Strom fließt durch diese Diode, wenn der AO3415A nicht eingeschaltet ist. Wenn die Gate-Source-Spannung größer als -2,5V ist, schließt der MOSFET die Diode kurz. Diese Schaltung wird im Praktikum Komplementäre Transistoren näher beschrieben.
Verpolungsschutz
- Der AO3415A wird als Verpolungsschutz "falsch" herum betrieben.
- Der AO3415A wirkt nicht als Diode, da er auch von +Uout nach +Uin leitet, wenn +Uout größer als 2,5V ist.
Montage auf Lochrasterplatinen
Das dreipolige SMD-Bauteil des AO3415A kann auf Lochrasterplatinen montiert werden: SOT-Gehäuse