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Der 2N7000 ist ein universell einsetzbarer N-Kanal MOSFET


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2N7000

Attention attention

Der 2N7000 ist sehr empfindlich gegen elektrostatische Entladungen.

Bitte Vorsicht-elektrostatische-Entladung beachten.

Der 2N7000 ist ein N-Kanal Kleinsignal-MOSFET.

Udsmax Ugsmax Imax Pmax Rdson Ugson
60V ±20V 200mA 400mW 1,7Ω < 7,5Ω 5V
  • Der 2N7000 kann als Verstärker und Schalter eingesetzt werden.
  • Der 2N7000 kann nur von CMOS Logik-Systemen ≥ 5V angesteuert werden. Es sind nur Drainströme von maximal 75mA sinnvoll.

Symbol

N-MOS-FET-Diode_Symbol.png
Symbol eines N-MOSFET

Wirkung

Durch eine positive Spannung zwischen Gate und Source wird der N-Kanal-MOSFET zwischen Drain und Source leitend. Der MOSFET ist spannungsgesteuert.

Gehäuse

TO92.png
2N7000 im TO-92-Gehäuse

a - Source
b - Gate
c - Drain

Regeln

  • Der 2N7000 ist sehr empfindlich gegen elektrostatische Entladungen.
  • Die Source wird mit Minus verbunden.
  • Der Lastwiderstand liegt zwischen Drain und Plus.
  • Das Gate ist isoliert. Es fließt kein Strom in das Gate.
  • Das Gate darf nie offen sein. Ein Widerstand von 1MΩ genügt.
  • Durch eine positive Spannung zwischen Gate und Source von etwa 3V wird der 2N7000 leitend.
  • Bei einer positiven Spannung zwischen Gate und Source von 4,5V schaltet der 2N7000 75mA.
  • Für 200mA ist eine Gate-Source-Spannung von mehr als 6V erforderlich.
  • Der 2N7000 sollte für kleine Ströme bis 75mA verwendet werden.
  • Der 2N7000 kann mit dem Gate direkt an einen CMOS-Ausgang (5V) angeschlossen werden und schaltet dann bis zu 75mA.
  • Der 2N7000 kann bei Spannungen bis 12V mit einem Lastwiderstand von minimal 150Ω sicher betrieben werden.
  • Zwischen Drain und Source befindet sich eine Diode, die bei negativer Spannung leitend wird.
  • Der 2N7000 verträgt keine hohen Leistungen,
  • maximal 250mW.
  • 400mW nur bei 25°C Umgebungstemperatur