2N7000
Der 2N7000 ist sehr empfindlich gegen elektrostatische Entladungen.
Bitte Vorsicht-elektrostatische-Entladung beachten.
Der 2N7000 ist ein N-Kanal Kleinsignal-MOSFET.
Udsmax | Ugsmax | Imax | Pmax | Rdson | Ugson |
60V | ±20V | 200mA | 400mW | 1,7Ω < 7,5Ω | 5V |
- Der 2N7000 kann als Verstärker und Schalter eingesetzt werden.
- Der 2N7000 kann nur von CMOS Logik-Systemen ≥ 5V angesteuert werden. Es sind nur Drainströme von maximal 75mA sinnvoll.
Symbol
Wirkung
Durch eine positive Spannung zwischen Gate und Source wird der N-Kanal-MOSFET zwischen Drain und Source leitend. Der MOSFET ist spannungsgesteuert.
Gehäuse
a - Source
b - Gate
c - Drain
Regeln
- Der 2N7000 ist sehr empfindlich gegen elektrostatische Entladungen.
- Bitte Vorsicht-elektrostatische-Entladung beachten.
- Die Source wird mit Minus verbunden.
- Der Lastwiderstand liegt zwischen Drain und Plus.
- Das Gate ist isoliert. Es fließt kein Strom in das Gate.
- Das Gate darf nie offen sein. Ein Widerstand von 1MΩ genügt.
- Durch eine positive Spannung zwischen Gate und Source von etwa 3V wird der 2N7000 leitend.
- Bei einer positiven Spannung zwischen Gate und Source von 4,5V schaltet der 2N7000 75mA.
- Für 200mA ist eine Gate-Source-Spannung von mehr als 6V erforderlich.
- Der 2N7000 sollte für kleine Ströme bis 75mA verwendet werden.
- Der 2N7000 kann mit dem Gate direkt an einen CMOS-Ausgang (5V) angeschlossen werden und schaltet dann bis zu 75mA.
- Der 2N7000 kann bei Spannungen bis 12V mit einem Lastwiderstand von minimal 150Ω sicher betrieben werden.
- Zwischen Drain und Source befindet sich eine Diode, die bei negativer Spannung leitend wird.
- Der 2N7000 verträgt keine hohen Leistungen,
- maximal 250mW.
- 400mW nur bei 25°C Umgebungstemperatur