Symbol
Wirkung
Durch eine positive Spannung von 2,5V zwischen Gate und Source wird der MOSFET eingeschaltet. Dann ist der Widerstand zwischen Drain und Source praktisch 0 (etwa 0,080Ω).
Gehäuse
SMD Gehäuse Typ SOT23
1 - Gate
2 - Source
3 - Drain
Der IRLML6346 ist empfindlich gegen elektrostatische Entladung.
Bitte Vorsicht-elektrostatische-Entladung beachten.
Regeln
- Der IRLML6346 verträgt keine hohen Leistungen.
- maximal 0,8W
- Der IRLML6346 schaltet Ströme bis 1,5A gut.
- Der IRLML6346 darf mit einer maximalen Gate-Source-Spannung von ±12V betrieben werden.
- Er kann gut bei Spannungen zwischen 3V und 24V betrieben werden.
- Die Source wird an Minus (Masse) angeschlossen.
- Die geschaltete Last liegt zwischen Drain und Plus.
- Das Gate sollte niemals offen sein. Ein 1MΩ Widerstand reicht.
- Das Gate kann unmittelbar an den Ausgang eines CMOS-ICs angeschlossen werden.
Einbau auf Lochrasterplatinen
Das dreipolige SMD-Bauteil des IRLML6346 lässt sich auf Lochrasterplatine einbauen: SOT-Gehäuse