IRLML6346
Der IRLML6346 ist empfindlich gegen elektrostatische Entladung.
Bitte Vorsicht-elektrostatische-Entladung beachten.
Der IRLML6346 ist ein N-Kanal-MOSFET.
Udsmax | Ugsmax | Idmax | Pmax | Rdson | Ugson | Ugsth |
30V | ±12V | 2,7A | 1,3W | 0,080Ω | 2,5V | 0,5V bis 1,1V |
Udsmax | maximal zulässige Drain-Source-Spannung |
Ugsmax | maximal zulässige Gate-Source-Spannung |
Idmax | maximal zulässiger Drain-Strom |
Pmax | maximal zulässige Leistung |
Rdson | Einschaltwiderstand bei Ugson |
Ugson | Gate-Source-Spannung für Rdson |
Ugsth | Gate-Source-Spannung, bei der der MOSFET leitend wird |
- Der IRLML6346 kann als Schalter eingesetzt werden.
- Der IRLML6346 kann von Logik-Systemen ≥ 3V angesteuert werden.
- Die Gate-Source Spannung darf maximal ±12V betragen.
Symbol
Wirkung
Eine positive Spannung von 2,5V zwischen Gate und Source schaltet den MOSFET ein. Der Widerstand zwischen Drain und Source ist dann praktisch 0 (etwa 80mΩ). Der Strom sollte bei Ugs = 2,5V nicht größer als 3A sein.
Gehäuse
THT und SMD
Montage von Bauelemente auf Leiterplatten
THT (Through Hole Technology) Durchsteckmontage
- Die Anschlüsse von THT-Bauelementen werden durch Löcher in der Platine gesteckt und von unten verlötet.
- THT-Bauelemente werden auf der Oberseite der Platine montiert.
- Bedrahtete Bauelemente wie Widerstände und Kondensatoren werden in THT montiert. Dazu müssen die Anschlussdrähte entsprechend gebogen werden.
SMD (Surface Mounted Device) Oberflächenmontage
- SMD-Bauelemente benötigen keine Bohrungen, sondern werden direkt auf Kupferpads gelötet.
- SMD-Bauelemente können auf beiden Seiten einer Platine montiert werden.
1 - Gate
2 - Source
3 - Drain
Thermische Eigenschaften
60°C
Die Umgebungstemperatur von 60°C ist eine gute Wahl für die meisten Anwendungen.
- Die maximal zulässige Sperrschichttemperatur des IRLML6346 beträgt 150°C.
- Die maximal zulässige Leistung bei einer Umgebungstemperatur von 25°C ist Pmax=1300mW.
- Über 25°C Umgebungstemperatur verringert sich die maximal zulässige Leistung um 10mW/°C.
Das obige Diagramm setzt voraus, dass der IRLML6346 auf einer Leiterplatte eingelötet ist.
Die maximal zulässige Verlustleistung kann einfach aus dem Diagramm entnommen werden.
- Wird der IRLML6346 mit Leistungen über 75mW betrieben, ist die Kühlung von SMD-Bauelementen über die Leiterplatte zu beachten.
Regeln
- Der IRLML6346 ist empfindlich gegen elektrostatische Entladung.
- Bitte Vorsicht-elektrostatische-Entladung beachten.
- Die Source des IRLML6346 wird an Minus (Masse) angeschlossen.
- Die geschaltete Last liegt zwischen Drain und Plus.
- Der IRLML6346 wird durch eine positive Spannung zwischen Source und Gate eingeschaltet.
- Das Gate sollte niemals offen sein. Ein 1MΩ Widerstand genügt.
- Das Gate kann unmittelbar an den Ausgang eines CMOS-ICs angeschlossen werden.
- Der IRLML6346 darf mit einer maximalen Gate-Source-Spannung von ±12V betrieben werden.
- Er kann mit Spannungen zwischen 3V und 24V betrieben werden.
- Der IRLML6346 schaltet Ströme bis 1,5A.
- Der IRLML6346 verträgt keine hohen Leistungen,
- maximal 900mW bei 60°C.
Montage auf Lochrasterplatinen
Das dreipolige SMD-Bauteil des IRLML6346 kann auf Lochrasterplatinen montiert werden: SOT-Gehäuse
Weitere Daten und Kennlinien
Sicherer Arbeitsbereich (SOA)
- Der IRLML6346 sollte nicht analog mit Gleichstrom betrieben werden.
- Die Daten gelten bei einer Chiptemperatur von 25°C. Bei höheren Temperaturen muss der Drainstrom Id reduziert werden. Siehe Sicherer Arbeitsbereich (SOA) - Details.