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Der N-Kanal-MOSFET IRLML6246 ist ein Schalter für 3V-Systeme


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IRLML6346

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Der IRLML6346 ist empfindlich gegen elektrostatische Entladung.

Bitte Vorsicht-elektrostatische-Entladung beachten.

Der IRLML6346 ist ein N-Kanal-MOSFET.

Udsmax Ugsmax Idmax Pmax Rdson Ugson Ugsth
30V ±12V 2,7A 1,3W 0,080Ω 2,5V 0,5V bis 1,1V
Udsmax maximal zulässige Drain-Source-Spannung
Ugsmax maximal zulässige Gate-Source-Spannung
Idmax maximal zulässiger Drain-Strom
Pmax maximal zulässige Leistung
Rdson Einschaltwiderstand bei Ugson
Ugson Gate-Source-Spannung für Rdson
Ugsth Gate-Source-Spannung, bei der der MOSFET leitend wird
  • Der IRLML6346 kann als Schalter eingesetzt werden.
  • Der IRLML6346 kann von Logik-Systemen ≥ 3V angesteuert werden.
  • Die Gate-Source Spannung darf maximal ±12V betragen.

Symbol

N-MOS-FET-Diode_Symbol.png
Symbol eines N-MOSFET

Wirkung

Eine positive Spannung von 2,5V zwischen Gate und Source schaltet den MOSFET ein. Der Widerstand zwischen Drain und Source ist dann praktisch 0 (etwa 80mΩ). Der Strom sollte bei Ugs = 2,5V nicht größer als 3A sein.

Gehäuse

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THT und SMD

Montage von Bauelemente auf Leiterplatten

THT (Through Hole Technology) Durchsteckmontage

  • Die Anschlüsse von THT-Bauelementen werden durch Löcher in der Platine gesteckt und von unten verlötet.
  • THT-Bauelemente werden auf der Oberseite der Platine montiert.
  • Bedrahtete Bauelemente wie Widerstände und Kondensatoren werden in THT montiert. Dazu müssen die Anschlussdrähte entsprechend gebogen werden.

SMD (Surface Mounted Device) Oberflächenmontage

  • SMD-Bauelemente benötigen keine Bohrungen, sondern werden direkt auf Kupferpads gelötet.
  • SMD-Bauelemente können auf beiden Seiten einer Platine montiert werden.
SOT23-3.png
IRLML6346 im SMD-Gehäuse Typ SOT-23-3

1 - Gate
2 - Source
3 - Drain

Thermische Eigenschaften

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60°C

Die Umgebungstemperatur von 60°C ist eine gute Wahl für die meisten Anwendungen.

  • Die maximal zulässige Sperrschichttemperatur des IRLML6346 beträgt 150°C.
  • Die maximal zulässige Leistung bei einer Umgebungstemperatur von 25°C ist Pmax=1300mW.
  • Über 25°C Umgebungstemperatur verringert sich die maximal zulässige Leistung um 10mW/°C.
IRLML6346-Pmax.png
Maximal zulässige Verlustleistung des IRLML6346 bei Umgebungstemperatur

Das obige Diagramm setzt voraus, dass der IRLML6346 auf einer Leiterplatte eingelötet ist.

Die maximal zulässige Verlustleistung kann einfach aus dem Diagramm entnommen werden.

Regeln

  • Der IRLML6346 ist empfindlich gegen elektrostatische Entladung.
  • Die Source des IRLML6346 wird an Minus (Masse) angeschlossen.
  • Die geschaltete Last liegt zwischen Drain und Plus.
  • Der IRLML6346 wird durch eine positive Spannung zwischen Source und Gate eingeschaltet.
  • Das Gate sollte niemals offen sein. Ein 1MΩ Widerstand genügt.
  • Das Gate kann unmittelbar an den Ausgang eines CMOS-ICs angeschlossen werden.
  • Der IRLML6346 darf mit einer maximalen Gate-Source-Spannung von ±12V betrieben werden.
  • Er kann mit Spannungen zwischen 3V und 24V betrieben werden.
  • Der IRLML6346 schaltet Ströme bis 1,5A.
  • Der IRLML6346 verträgt keine hohen Leistungen,
  • maximal 900mW bei 60°C.

Montage auf Lochrasterplatinen

Das dreipolige SMD-Bauteil des IRLML6346 kann auf Lochrasterplatinen montiert werden: SOT-Gehäuse

Weitere Daten und Kennlinien

Sicherer Arbeitsbereich (SOA)

IRLML6346-SOA.png
Sicherer Arbeitsbereich (SOA) des IRLML6346
  • Der IRLML6346 sollte nicht analog mit Gleichstrom betrieben werden.