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Der IRFZ24N ist ein Leistungs-N-Kanal-MOSFET


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IRFZ24N

Attention attention

Der IRFZ24N ist empfindlich gegen elektrostatische Entladung.

Bitte Vorsicht-elektrostatische-Entladung beachten.

Der IRFZ24N ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET.

Umax Ugsmax Imax Pmax Rdson Ugson
55V ±20V 12A 1W - 45W 0,07Ω 10V
  • Der IRFZ24N wird als Leistungsschalter eingesetzt.
  • Die Gate-Source Spannung darf maximal ±20V betragen.
  • Der IRFZ24N kann nicht von Logik-Systemen ≤5V angesteuert werden.

Symbol

N-MOS-FET-Diode_Symbol.png
Symbol eines N-MOSFET

Wirkung

Eine positive Spannung Ugs von 10V zwischen Gate und Source schaltet den MOSFET ein. Der Widerstand zwischen Drain und Source ist dann praktisch 0 (etwa 70mΩ). Der Strom sollte bei Ugs = 10V nicht größer als 10A sein.

Gehäuse

TO220.png
IRFZ24N im TO-220-Gehäuse

a - Gate
b - Drain
c - Source
Der mittlere Anschluss b ist mit der Kühlfahne d verbunden.

Regeln

  • Der IRFZ24N ist empfindlich gegen elektrostatische Entladung.
  • Die Source des IRFZ24N wird an Minus angeschlossen.
  • Der IRFZ24N wird durch eine positive Spannung zwischen Source und Gate eingeschaltet.
  • Der Lastwiderstand liegt zwischen Drain und Plus.
  • Das Gate sollte niemals offen sein. Ein 1MΩ Widerstand genügt.
  • Der IRFZ24N schaltet bei einer Gate-Source-Spannung von 10V sicher ein.
  • Das Gate darf nur direkt an den Ausgang eines CMOS-ICs angeschlossen werden, wenn die Versorgungsspannung mindestens 10V beträgt.
  • Er kann nicht an 5V-Systemen betrieben werden.
  • Der IRFZ24N kann ohne Kühlung mit maximal 1W betrieben werden.
  • Als Schalter kann der IRFZ24N ohne Kühlung mit Strömen bis 3A betrieben werden.
  • Bei schnellen Schaltungen muss ein spezieller Treiber verwendet werden.