IRLML6402
Der IRLML6402 ist empfindlich gegen elektrostatische Entladung.
Bitte Vorsicht elektrostatische Entladung beachten.
Der IRLML6402 ist ein P-Kanal-MOSFET.
| Udsmax | Ugsmax | Idmax | Pmax | Rdson | Ugson | Ugsth |
| -20 V | ±12 V | -3,7 A | 1300 mW | 0,08 Ω | -2,5 V | -0,4 V bis -0,95 V |
| Udsmax | maximal zulässige Drain-Source-Spannung |
| Ugsmax | maximal zulässige Gate-Source-Spannung |
| Idmax | maximal zulässiger Drain-Strom |
| Pmax | maximal zulässige Leistung |
| Rdson | Einschaltwiderstand bei Ugson |
| Ugson | Gate-Source-Spannung für Rdson |
| Ugsth | Gate-Source-Spannung, bei der der MOSFET leitend wird |
- Der IRLML6402 kann als Schalter und Verpolungsschutz verwendet werden.
- Der IRLML6402 kann von Logiksystemen ≥ 3 V angesteuert werden.
- Die Gate-Source-Spannung darf maximal ±12 V betragen.
- Das Gate des IRLML6402 ist nicht gegen höhere Spannungen geschützt.
Symbol
Wirkung
Eine negative Spannung von -3 V zwischen Gate und Source schaltet den MOSFET ein. Der Widerstand zwischen Drain und Source ist dann praktisch 0 (etwa 80 mΩ).
Der IRLML6402 beginnt bei -0,55 V (-0,4 V bis -0,95 V) zu leiten.
THT und SMD
Montage von Bauelementen auf Leiterplatten
THT (Through Hole Technology) Durchsteckmontage
- Die Anschlüsse von THT-Bauelementen werden durch Löcher in der Platine gesteckt und von unten verlötet.
- THT-Bauelemente werden auf der Oberseite der Platine montiert.
- Bedrahtete Bauelemente wie Widerstände und Kondensatoren werden in THT montiert. Dazu müssen die Anschlussdrähte entsprechend gebogen werden.
SMD (Surface Mounted Device) Oberflächenmontage
- SMD-Bauelemente benötigen keine Bohrungen, sondern werden direkt auf Kupferpads gelötet.
- SMD-Bauelemente können auf beiden Seiten einer Platine montiert werden.
Gehäuse
1 - Gate
2 - Source
3 - Drain
Montage auf Lochrasterplatinen
Das dreipolige SMD-Bauelement des IRLML6402 kann auf Lochrasterplatinen montiert werden: SOT-Gehäuse
Thermische Eigenschaften
60 °C
Eine maximale Umgebungstemperatur von 60 °C ist für die meisten unserer Anwendungen eine gute Wahl.
- Die maximal zulässige Sperrschichttemperatur des IRLML6402 beträgt 150 °C.
- Die maximal zulässige Leistung bei einer Umgebungstemperatur von 25°C ist Pmax=1300 mW.
- Über 25°C Umgebungstemperatur verringert sich die maximal zulässige Leistung um 10 mW/°C.
Das obige Diagramm setzt voraus, dass der IRLML6402 auf einer Leiterplatte eingelötet ist.
Die maximal zulässige Verlustleistung kann einfach aus dem Diagramm entnommen werden.
- Wird der IRLML6402 mit Leistungen über 75 mW betrieben, ist die Kühlung von SMD-Bauelementen über die Leiterplatte zu beachten.
Regeln
- Der IRLML6402 ist empfindlich gegen elektrostatische Entladung.
- Bitte Vorsicht elektrostatische Entladung beachten.
- Die Source des IRLML6402 wird an Plus angeschlossen.
- Die geschaltete Last liegt zwischen Drain und Minus bzw. Masse.
- Der IRLML6402 wird durch eine negative Spannung zwischen Source und Gate eingeschaltet.
- Das Gate sollte niemals offen sein. Ein 1 MΩ Widerstand genügt.
- Der IRLML6402 schaltet Ströme bis -1,5 A gut.
- Das Gate kann unmittelbar an den Ausgang eines CMOS-ICs angeschlossen werden.
- Der IRLML6402 darf mit einer maximalen Gate-Source-Spannung von ±12 V betrieben werden.
- Er kann mit Spannungen zwischen 3 V und 12 V betrieben werden.
- Der IRLML6402 verträgt keine hohen Leistungen,
- maximal 0,9 W bei 60 °C.
- Der IRLML6402 kann Spannungen bis 20 V und Ströme bis 2,2 A schalten.
- Der IRLML6402 darf linear (analog) betrieben werden.
- Sicherer Arbeitsbereich (SOA) für Gleichstrom:
- 2,2 A und 0,27 V
- 40 mA und 20 V
- Die Ströme müssen bei höheren Temperaturen und Leistungen reduziert werden.
Beispiel: Verpolungsschutz
Der IRLML6402 besitzt eine integrierte Diode. Der Strom fließt durch diese Diode, wenn der IRLML6402 nicht eingeschaltet ist. Wenn die Gate-Source-Spannung größer als -2,5 V ist, schließt der MOSFET die Diode kurz. Diese Schaltung wird im Praktikum Komplementäre Transistoren näher beschrieben.
Verpolungsschutz
- Der IRLML6402 wird als Verpolungsschutz "falsch" herum betrieben.
- Der IRLML6402 wirkt nicht als Diode, da er auch von +Uout nach +Uin leitet, wenn +Uout größer als 2,5 V ist.
Montage auf Lochrasterplatinen
Das dreipolige SMD-Bauelement des IRLML6402 kann auf Lochrasterplatinen montiert werden: SOT-Gehäuse
Weitere Daten und Kennlinien
Die folgenden Kennlinien sind typische Kennlinien, die auf Angaben verschiedener Hersteller beruhen. Sie können von Prüfling zu Prüfling und von Hersteller zu Hersteller variieren.
- Kennlinien werden im Praktikum Kennlinien beschrieben.
Die Ausgangskennlinien des IRLML6402 sind temperaturabhängig. Die durchgezogenen Kennlinien gelten für 25 °C und die gestrichelten für 150 °C.
Die Transferkennlinie des IRLML6402 ist temperaturabhängig.
Sicherer Arbeitsbereich (SOA)
Der IRLML6402 kann analog mit Gleichstrom betrieben werden (DC SOA). Bei Gleichstrombetrieb ist der maximal zulässige Gleichstrom Idmax zu beachten.
| Id | bei Uds unter |
| -3 A | -0,2 V |
| -1 A | -0,6 V |
| -100 mA | -7 V |
| -35 mA | -20 V |
- Die obigen Daten gelten bei einer Chiptemperatur von 25 °C. Bei höheren Temperaturen muss der Drainstrom Id reduziert werden. Siehe Sicherer Arbeitsbereich (SOA) - Details.
- Der SOA für DC kann entsprechend den %-Angaben rechts im Diagramm für die maximal zulässige Verlustleistung reduziert werden.