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Der P-Kanal-MOSFET IRF9310 ist ein Schalter für Ströme bis zu 10A.


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IRF9310

Attention attention

Der IRF9310 ist empfindlich gegen elektrostatische Entladung.

Bitte Vorsicht-elektrostatische-Entladung beachten.

Der IRF9310 ist ein P-Kanal-MOSFET.

Udsmax Ugsmax Idmax Pmax Rdson Ugson Ugsth
-30V ±20V -16A 2500mW 0,0068Ω -2,5V -1,3V bis -2,4V
Udsmax maximal zulässige Drain-Source-Spannung
Ugsmax maximal zulässige Gate-Source-Spannung
Idmax maximal zulässiger Drain-Strom
Pmax maximal zulässige Leistung
Rdson Einschaltwiderstand bei Ugson
Ugson Gate-Source-Spannung für Rdson
Ugsth Gate-Source-Spannung, bei der der MOSFET leitend wird
  • Der IRF9310 kann als Schalter und Verpolungsschutz eingsetzt werden.
  • Der IRF9310 kann von Logik-Systemen ≥ 5V angesteuert werden.
  • Die Gate-Source Spannung darf maximal ±20V betragen.

Symbol

P-MOS-FET-Diode_Symbol.png
Bild 1: Symbol eines P-MOSFET

S - Source, D - Drain, G - Gate

Wirkung

Eine negative Spannung Ugs von -4,5V zwischen Gate und Source schaltet den MOSFET ein. Der Widerstand zwischen Drain und Source ist dann praktisch 0 (etwa 6,8mΩ). Der Strom sollte bei Ugs = -4,5V nicht größer als -10A sein.

Gehäuse

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THT und SMD

Montage von Bauelemente auf Leiterplatten

THT (Through Hole Technology) Durchsteckmontage

  • Die Anschlüsse von THT-Bauelementen werden durch Löcher in der Platine gesteckt und von unten verlötet.
  • THT-Bauelemente werden auf der Oberseite der Platine montiert.
  • Bedrahtete Bauelemente wie Widerstände und Kondensatoren werden in THT montiert. Dazu müssen die Anschlussdrähte entsprechend gebogen werden.

SMD (Surface Mounted Device) Oberflächenmontage

  • SMD-Bauelemente benötigen keine Bohrungen, sondern werden direkt auf Kupferpads gelötet.
  • SMD-Bauelemente können auf beiden Seiten einer Platine montiert werden.
SO-8.png
Bild 2: IRF9310 im SMD-Gehäuse Typ SO-8

1 - Source
2 - Source
3 - Source
4 - Gate
5 - Drain
6 - Drain
7 - Drain
8 - Drain

Thermische Eigenschaften

Attention pin

60°C

Die Umgebungstemperatur von 60°C ist eine gute Wahl für die meisten Anwendungen.

  • Die maximal zulässige Sperrschichttemperatur des IRF9310 beträgt 150°C.
  • Die maximal zulässige Leistung bei einer Umgebungstemperatur von 25°C ist Pmax=1600mW.
  • Über 25°C Umgebungstemperatur verringert sich die maximal zulässige Leistung um 20mW/°C.
IRF9310-Pmax.png
Maximal zulässige Verlustleistung des IRF9310 bei Umgebungstemperatur

Das obige Diagramm setzt voraus, dass der IRF9310 auf einer Leiterplatte eingelötet ist.

Die maximal zulässige Verlustleistung kann einfach aus dem Diagramm entnommen werden.

Regeln

  • Der IRF9310 ist empfindlich gegen elektrostatische Entladung.
  • Die Source des IRF9310 wird an Plus angeschlossen.
  • Der IRF9310 wird durch eine negative Spannung zwischen Source und Gate eingeschaltet.
  • Die geschaltete Last liegt zwischen Drain und Minus bzw. Masse.
  • Das Gate sollte niemals offen sein. Ein 1MΩ Widerstand genügt.
  • Das Gate kann unmittelbar an den Ausgang eines CMOS-ICs (5V) angeschlossen werden.
  • Der IRF9310 schaltet Ströme bis -10A, wenn er mit Ugs=-4,5V angesteuert wird.
  • Der IRF9310 darf mit einer maximalen Gate-Source-Spannung von ±20V betrieben werden.
  • Er kann gut mit Spannungen zwischen 5V und 24V betrieben werden.
  • Der IRF9310 verträgt keine hohen Leistungen,
  • maximal 1,8W bei 60°C Umgebungstemperatur.

Montage auf Lochrasterplatinen

Das acht-polige SMD-Bauteil des IRF9310 kann auf Lochrasterplatinen montiert werden: SO-Gehäuse