Symbol
S - Source, D - Drain, G - Gate
Wirkung
Durch eine negative Spannung Ugs von -4,5V zwischen Gate und Source wird der MOSFET eingeschaltet. Dann ist der Widerstand zwischen Drain und Source praktisch 0 (etwa 6,8mΩ). Der Strom sollte bei Ugs = -4,5V nicht größer als -10A sein.
Gehäuse
1 - Source
2 - Source
3 - Source
4 - Gate
5 - Drain
6 - Drain
7 - Drain
8 - Drain
Der IRF9310 ist empfindlich gegen elektrostatische Entladung.
Bitte Vorsicht-elektrostatische-Entladung beachten.
Regeln
- Der IRF9310 verträgt keine hohen Leistungen,
- maximal 1,6W.
- Der IRF9310 schaltet Ströme bis -10A gut, wenn er mit Ugs=-4,5V angesteuert wird.
- Der IRF9310 darf mit einer maximalen Gate-Source-Spannung von ±20V betrieben werden.
- Er kann gut bei Spannungen zwischen 5V und 24V betrieben werden.
- Die Source wird an Plus angeschlossen.
- Die geschaltete Last liegt zwischen Drain und Minus bzw. Masse.
- Das Gate sollte niemals offen sein. Ein 1MΩ Widerstand reicht.
- Das Gate kann unmittelbar an den Ausgang eines CMOS-ICs (5V) angeschlossen werden.
Einbau auf Lochrasterplatinen
Das acht-polige SMD-Bauteil des IRF9310 lässt sich auf Lochrasterplatine einbauen: SO-Gehäuse