IRF9310
Der IRF9310 ist empfindlich gegen elektrostatische Entladung.
Bitte Vorsicht elektrostatische Entladung beachten.
Der IRF9310 ist ein P-Kanal-MOSFET.
| Udsmax | Ugsmax | Idmax | Pmax | Rdson | Ugson | Ugsth |
| -30 V | ±20 V | -16 A | 2500 mW | 0,0068 Ω | -2,5 V | -1,3 V bis -2,4 V |
| Udsmax | maximal zulässige Drain-Source-Spannung |
| Ugsmax | maximal zulässige Gate-Source-Spannung |
| Idmax | maximal zulässiger Drain-Strom |
| Pmax | maximal zulässige Leistung |
| Rdson | Einschaltwiderstand bei Ugson |
| Ugson | Gate-Source-Spannung für Rdson |
| Ugsth | Gate-Source-Spannung, bei der der MOSFET leitend wird |
| Diese Grenzwerte dürfen nicht überschritten werden. | Siehe: Betriebsdaten und Grenzdaten |
- Der IRF9310 kann als Schalter und Verpolungsschutz eingesetzt werden.
- Der IRF9310 kann von Logiksystemen ≥ 5 V angesteuert werden.
- Die Gate-Source-Spannung darf maximal ±20 V betragen.
- Das Gate des IRF9310 ist nicht gegen höhere Spannungen geschützt.
Symbol
S - Source, D - Drain, G - Gate
Wirkung
Eine negative Spannung Ugs von -4,5 V zwischen Gate und Source schaltet den MOSFET ein. Der Widerstand zwischen Drain und Source ist dann praktisch 0 (etwa 6,8 mΩ). Der Strom sollte bei Ugs = -4,5 V nicht größer als -10 A sein.
Gehäuse
THT und SMD
Montage von Bauelementen auf Leiterplatten
THT (Through Hole Technology) Durchsteckmontage
- Die Anschlüsse von THT-Bauelementen werden durch Löcher in der Platine gesteckt und von unten verlötet.
- THT-Bauelemente werden auf der Oberseite der Platine montiert.
- Bedrahtete Bauelemente wie Widerstände und Kondensatoren werden in THT montiert. Dazu müssen die Anschlussdrähte entsprechend gebogen werden.
SMD (Surface Mounted Device) Oberflächenmontage
- SMD-Bauelemente benötigen keine Bohrungen, sondern werden direkt auf Kupferpads gelötet.
- SMD-Bauelemente können auf beiden Seiten einer Platine montiert werden.
1 - Source
2 - Source
3 - Source
4 - Gate
5 - Drain
6 - Drain
7 - Drain
8 - Drain
Montage auf Lochrasterplatinen
Das achtpolige SMD-Bauelement des IRF9310 kann auf Lochrasterplatinen montiert werden: SO-Gehäuse
Thermische Eigenschaften
60 °C
Eine maximale Umgebungstemperatur von 60 °C ist für die meisten unserer Anwendungen eine gute Wahl.
- Die maximal zulässige Sperrschichttemperatur des IRF9310 beträgt 150 °C.
- Die maximal zulässige Leistung bei einer Umgebungstemperatur von 25°C ist Pmax=1600 mW.
- Über 25°C Umgebungstemperatur verringert sich die maximal zulässige Leistung um 20 mW/°C.
Das obige Diagramm setzt voraus, dass der IRF9310 auf einer Leiterplatte eingelötet ist.
Die maximal zulässige Verlustleistung kann einfach aus dem Diagramm entnommen werden.
- Wird der IRF9310 mit Leistungen über 75 mW betrieben, ist die Kühlung von SMD-Bauelementen über die Leiterplatte zu beachten.
Regeln
- Der IRF9310 ist empfindlich gegen elektrostatische Entladung.
- Bitte Vorsicht elektrostatische Entladung beachten.
- Die Source des IRF9310 wird an Plus angeschlossen.
- Der IRF9310 wird durch eine negative Spannung zwischen Source und Gate eingeschaltet.
- Die geschaltete Last liegt zwischen Drain und Minus bzw. Masse.
- Das Gate sollte niemals offen sein. Ein 1 MΩ Widerstand genügt.
- Das Gate kann unmittelbar an den Ausgang eines CMOS-ICs (5 V) angeschlossen werden.
- Der IRF9310 schaltet Ströme bis -10 A, wenn er mit Ugs=-4,5 V angesteuert wird.
- Der IRF9310 darf mit einer maximalen Gate-Source-Spannung von ±20 V betrieben werden.
- Er kann gut mit Spannungen zwischen 5 V und 24 V betrieben werden.
- Der IRF9310 verträgt keine hohen Leistungen,
- maximal 1,8 W bei 60 °C Umgebungstemperatur.
Weitere Daten und Kennlinien
- Kennlinien werden im Praktikum Kennlinien beschrieben.
Sicherer Arbeitsbereich (SOA)
Der IRF9310 kann analog mit Gleichstrom betrieben werden: DC SOA.
- Der DC SOA wird nicht von allen Herstellern angegeben.
| Id | bei Uds unter: |
| -20 A | -0,125 V |
| -0,08 A | -30 V |
- Die Grenzlinien dürfen nur einmalig oder sehr selten überschritten werden. Der IRF9310 darf dauerhaft nur unterhalb des DC-Bereichs betrieben werden.
- Die Daten gelten bei einer Chiptemperatur von 25 °C. Bei höheren Temperaturen muss der Drainstrom Id reduziert werden. Siehe Sicherer Arbeitsbereich (SOA) - Details.
- Der SOA für DC kann entsprechend den %-Angaben rechts im Diagramm für die maximal zulässige Verlustleistung reduziert werden.