IRF7410

Der IRF7410 ist ein P-Kanal-MOSFET

U_dsmax	U_gsmax	I_max	P_max	R_dson	U_gson
-12V	±8V	-13A	1,6W	0,009Ω	-0,9V

Verwendung als Schalter und Verpolungsschutz. Der IRF7410 kann von Logik-Systemen ≥ 3V angesteuert werden.

Die Gate-Source Spannung darf maximal ±8V betragen.

Symbol

S - Source, D - Drain, G - Gate

Wirkung

Durch eine negative Spannung U_gs von -2,5V zwischen Gate und Source wird der MOSFET eingeschaltet. Dann ist der Widerstand zwischen Drain und Source praktisch 0 (etwa 9mΩ). Der Strom sollte bei U_gs = -2,5V nicht größer als -12A sein.

Gehäuse

1 - Source
2 - Source
3 - Source
4 - Gate
5 - Drain
6 - Drain
7 - Drain
8 - Drain

Der IRF7410 ist empfindlich gegen elektrostatische Entladung.

Bitte Vorsicht-elektrostatische-Entladung beachten.

Regeln

Der IRF7410 verträgt keine hohen Leistungen,

maximal 1,6W.

Der IRF7410 schaltet Ströme bis -13A gut, wenn er mit U_gs=-2,5V angesteuert wird.

Der IRF7410 darf mit einer maximalen Gate-Source-Spannung von ±8V betrieben werden.

Er kann gut bei Spannungen zwischen 3V und 12V betrieben werden.

Die Source wird an Plus angeschlossen.

Die geschaltete Last liegt zwischen Drain und Minus bzw. Masse.

Das Gate sollte niemals offen sein. Ein 1MΩ Widerstand reicht.

Das Gate kann unmittelbar an den Ausgang eines CMOS-ICs angeschlossen werden.

Einbau auf Lochrasterplatinen

Das acht-polige SMD-Bauteil des IRF7410 lässt sich auf Lochrasterplatine einbauen: SO-Gehäuse