Symbol
S - Source, D - Drain, G - Gate
Wirkung
Durch eine negative Spannung Ugs von -2,5V zwischen Gate und Source wird der MOSFET eingeschaltet. Dann ist der Widerstand zwischen Drain und Source praktisch 0 (etwa 9mΩ). Der Strom sollte bei Ugs = -2,5V nicht größer als -12A sein.
Gehäuse
1 - Source
2 - Source
3 - Source
4 - Gate
5 - Drain
6 - Drain
7 - Drain
8 - Drain
Der IRF7410 ist empfindlich gegen elektrostatische Entladung.
Bitte Vorsicht-elektrostatische-Entladung beachten.
Regeln
- Der IRF7410 verträgt keine hohen Leistungen,
- maximal 1,6W.
- Der IRF7410 schaltet Ströme bis -13A gut, wenn er mit Ugs=-2,5V angesteuert wird.
- Der IRF7410 darf mit einer maximalen Gate-Source-Spannung von ±8V betrieben werden.
- Er kann gut bei Spannungen zwischen 3V und 12V betrieben werden.
- Die Source wird an Plus angeschlossen.
- Die geschaltete Last liegt zwischen Drain und Minus bzw. Masse.
- Das Gate sollte niemals offen sein. Ein 1MΩ Widerstand reicht.
- Das Gate kann unmittelbar an den Ausgang eines CMOS-ICs angeschlossen werden.
Einbau auf Lochrasterplatinen
Das acht-polige SMD-Bauteil des IRF7410 lässt sich auf Lochrasterplatine einbauen: SO-Gehäuse