Symbol
S - Source, D - Drain, G - Gate
Wirkung
Durch eine negative Spannung von -3V zwischen Gate und Source wird der MOSFET eingeschaltet. Dann ist der Widerstand zwischen Drain und Source praktisch 0 (etwa 0,08Ω).
Gehäuse
1 - Gate
2 - Source
3 - Drain
Der IRLML6402 ist empfindlich gegen elektrostatische Entladung.
Bitte Vorsicht-elektrostatische-Entladung beachten.
Regeln
- Der IRLML6402 verträgt keine hohen Leistungen.
- maximal 0,8W
- Der IRLML6402 schaltet Ströme bis -1,5A gut.
- Der IRLML6402 darf mit einer maximalen Gate-Source-Spannung von ±12V betrieben werden.
- Er kann gut bei Spannungen zwischen 3V und 12V betrieben werden.
- Die Source wird an Plus angeschlossen.
- Die geschaltete Last liegt zwischen Drain und Minus bzw. Masse.
- Das Gate sollte niemals offen sein. Ein 1MΩ Widerstand reicht.
- Das Gate kann unmittelbar an den Ausgang eines CMOS-ICs angeschlossen werden.
Beispiel: Verpolungsschutz
Der IRLML6402 hat eine integrierte Diode. Durch diese Diode fließt der Strom, wenn der IRLML6402 nicht eingeschaltet ist. Ist die Gate-Source-Spannung über -2,5V schließt der FET die Diode kurz. Diese Schaltung wird im Praktikum Komplementäre Transistoren näher beschrieben.
Einbau auf Lochrasterplatinen
Das dreipolige SMD-Bauteil des IRLML6402 lässt sich auf Lochrasterplatine einbauen: SOT-Gehäuse