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Der P-Kanal-MOSFET IRLML6402 ist ein Schalter, der sich gut als Verpolungsschutz eignet.


IRLML6402

IRLML6244


IRLML6402

Der IRLML6402 ist ein P-Kanal-MOSFET

Udsmax Ugsmax Imax Pmax Rdson Ugson
-20V ±12V -2,2A 0,8W 0,08Ω -2,5V

Verwendung als Schalter und Verpolungsschutz. Der IRLML6402 kann von Logik-Systemen ≥ 3V angesteuert werden.

Die Gate-Source Spannung darf maximal ±12V betragen.

Symbol

P-MOS-FET-Diode_Symbol.png
Bild 1: Symbol eines P-MOSFET

S - Source, D - Drain, G - Gate

Wirkung

Durch eine negative Spannung von -3V zwischen Gate und Source wird der MOSFET eingeschaltet. Dann ist der Widerstand zwischen Drain und Source praktisch 0 (etwa 0,08Ω).

Gehäuse

SOT23.png
Bild 2: SMD Gehäuse Typ SOT23

1 - Gate
2 - Source
3 - Drain

Attention attention

Der IRLML6402 ist empfindlich gegen elektrostatische Entladung.

Bitte Vorsicht-elektrostatische-Entladung beachten.

Regeln

  • Der IRLML6402 verträgt keine hohen Leistungen.
  • Der IRLML6402 schaltet Ströme bis -1,5A gut.
  • Der IRLML6402 darf mit einer maximalen Gate-Source-Spannung von ±12V betrieben werden.
  • Er kann gut bei Spannungen zwischen 3V und 12V betrieben werden.
  • Die Source wird an Plus angeschlossen.
  • Die geschaltete Last liegt zwischen Drain und Minus bzw. Masse.
  • Das Gate sollte niemals offen sein. Ein 1MΩ Widerstand reicht.
  • Das Gate kann unmittelbar an den Ausgang eines CMOS-ICs angeschlossen werden.

Beispiel: Verpolungsschutz

Verpolungsschutz.png
Bild 3: Verpolungsschutz mit IRLML6402

Der IRLML6402 hat eine integrierte Diode. Durch diese Diode fließt der Strom, wenn der IRLML6402 nicht eingeschaltet ist. Ist die Gate-Source-Spannung über -2,5V schließt der FET die Diode kurz.

Einbau auf Lochrasterplatinen

Das dreipolige SMD-Bauteil des IRLML6402 lässt sich auf Lochrasterplatine einbauen: SOT-Gehäuse