Symbol
S - Source, D - Drain, G - Gate
Wirkung
Durch eine negative Spannung Ugs von -2,5V zwischen Gate und Source wird der MOSFET eingeschaltet. Dann ist der Widerstand zwischen Drain und Source praktisch 0 (etwa 6,4mΩ). Der Strom sollte bei Ugs = -2,5V nicht größer als -10A sein.
Gehäuse
TO-220 Gehäuse
1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
4 - Drain.
Der mittlere Pin 2 ist mit der Kühlfläche 4 verbunden.
Der NDP6020P ist empfindlich gegen elektrostatische Entladung.
Bitte Vorsicht-elektrostatische-Entladung beachten.
Regeln
- Der NDP6020P kann ohne Kühlung mit maximal 1W betrieben werden.
- Der NDP6020P schaltet Ströme bis -10A gut, wenn er mit Ugs=-2,5V angesteuert wird.
- Als Schalter kann der NDP6020P mit Strömen bis 10A ohne Kühlung betrieben werden.
- Der NDP6020P darf mit einer maximalen Gate-Source-Spannung von ±8V betrieben werden.
- Er kann gut bei Spannungen zwischen 5V und 20V betrieben werden,
- aber die Gate-Source-Spannung darf 8V nicht überschreiten.
- Die Source wird an Plus angeschlossen.
- Die geschaltete Last liegt zwischen Drain und Minus bzw. Masse.
- Das Gate sollte niemals offen sein. Ein 1MΩ Widerstand reicht.
- Das Gate kann unmittelbar an den Ausgang eines CMOS-ICs (5V) angeschlossen werden.
- Bei schnellen Schaltungen muss ein spezieller Treiber verwendet werden.