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Der N-Kanal-MOSFET IRF7470 ist ein Schalter für Ströme bis zu 8,5A


IRF7470


IRF7470

Der IRF7470 ist ein N-Kanal-MOSFET

Udsmax Ugsmax Imax Pmax Rdson Ugson
40V ±12V -8,5A 1,6W 0,030Ω -2,5V

Verwendung als Schalter und Verpolungsschutz. Der IRF7470 kann von Logik-Systemen ≥ 5V angesteuert werden.

Die Gate-Source Spannung darf maximal ±12V betragen.

Symbol

N-MOS-FET-Diode_Symbol.png
Bild 1: Symbol N-MOSFET

S - Source, D - Drain, G - Gate

Wirkung

Durch eine negative Spannung Ugs von 4,5V zwischen Gate und Source wird der MOSFET eingeschaltet. Dann ist der Widerstand zwischen Drain und Source praktisch 0 (etwa 30mΩ). Der Strom sollte bei Ugs = 4,5V nicht größer als 8,5A sein.

Gehäuse

SO-8.png
Bild 2: SMD Gehäuse Typ SO-8

1 - Source
2 - Source
3 - Source
4 - Gate
5 - Drain
6 - Drain
7 - Drain
8 - Drain

Attention attention

Der IRF7470 ist empfindlich gegen elektrostatische Entladung.

Bitte Vorsicht-elektrostatische-Entladung beachten.

Regeln

  • Der IRF7470 verträgt keine hohen Leistungen,
  • maximal 1,6W.
  • Der IRF7470 schaltet Ströme bis -8,5A gut, wenn er mit Ugs=4,5V angesteuert wird.
  • Der IRF7470 darf mit einer maximalen Gate-Source-Spannung von ±12V betrieben werden.
  • Er kann gut bei Spannungen zwischen 5V und 24V betrieben werden.
  • Die Source wird an Plus angeschlossen.
  • Die geschaltete Last liegt zwischen Drain und Minus bzw. Masse.
  • Das Gate sollte niemals offen sein. Ein 1MΩ Widerstand reicht.
  • Das Gate kann unmittelbar an den Ausgang eines CMOS-ICs (5V) angeschlossen werden.

Einbau auf Lochrasterplatinen

Das acht-polige SMD-Bauteil des IRF7470 lässt sich auf Lochrasterplatine einbauen: SO-Gehäuse